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【簡介特點】
1、焊接溫度：V4真空共晶爐實際焊接最高溫度≤450℃。
2、極限真空度：≤5x10-4 Pa。
3、溫度均勻性:400mm x 300mm，士2℃ ；200 mm × 200 mm，±3℃。
4、加熱方式：采用底部紅外輻射加熱+頂部紅外輻射加熱，熱板采用半導體級石墨鍍碳化硅平臺.石墨鍍碳化硅平臺長期使用不易變形，而且具有很高導熱性，使熱板表面溫度更加均勻。
5、設備配備了CCD視覺可視系統(tǒng)，視野≥400mm×300mm，像素≥800w。可清晰捕獲樣品可視焊膏融化形態(tài)以及虛焊、橋接、偏移等缺陷類型。
6、監(jiān)視窗口：視覺監(jiān)控窗口：≥1個。
7、配置真空干泵抽速≥36m3/h。
8、滿足各種焊料（≤450℃）的焊接要求。例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等預成型焊片（可無助焊劑共晶焊接）和各種成份的焊膏。
9、焊接空洞率：V4真空燒結爐在軟釬焊料焊接時，經(jīng)過大量客戶驗證，空洞率可控制在3%以下。
10、可選正壓模塊：設備可以選配正壓模塊≤0.2Mpa，可滿足正壓、負壓工藝要求。正壓工藝可有效解決微小器件在焊接過程中移位問題（MiniLED、MicroLED等）、解決焊膏工藝助焊劑飛濺問題（引線框架類產(chǎn)品。
11、控溫系統(tǒng)及測溫系統(tǒng)V4真空燒結爐采用先進的控溫技術，控溫精度在±1℃。V4真空燒結爐溫度曲線可設定最多40段溫度，并配置3組PID(6組可選)設定，更精準控制溫度，保證焊接一致性及可靠性。溫度控制屬于滯后控，而PID控制是具有超前調節(jié)的作用，可提高控溫精度以及穩(wěn)定性。V4真空燒結爐腔體內(nèi)標配6路測溫熱電偶，設備工作時可實時反饋腔體內(nèi)任意位置的溫度，并在控制軟件中實時顯示測溫的溫度曲線，更好的保證焊接區(qū)域的溫度控制，為取得良好的工藝曲線提供支持。
12、腔體氣氛環(huán)境V4真空燒結爐可充入氮氣惰性氣體輔助焊接，同時滿足甲酸、氮氫混合氣體（5%氫氣95%氮氣）還原氣氛工藝。工藝氣氛可由時間或者由MFC質量流量計精準控制，保證每次設定工藝完成的一致性。滿足無助焊劑情況下焊接。
13、V4真空共晶爐配置軟件控制系統(tǒng)：軟件控制系統(tǒng)基于Windows操作系統(tǒng)，操作簡單。可通過溫度、時間、壓力、真空等工藝條件進行工藝編程，軟件工藝自動控制整個工藝過程。工藝曲線編程的工藝動作無限多個，滿足復雜工藝要求。設備主界面實時顯示焊接過程溫度、HCOOH、氮氣等氣體狀況及真空度，同步生成實時曲線并自動保存，全面直觀呈現(xiàn)焊接關鍵參數(shù)與狀態(tài)，確保過程可監(jiān)控可追溯。軟件控制系統(tǒng)可自動實時記錄焊接工藝及控溫、測溫曲線，按工作時間存對應目錄，保障工藝可追溯性；同時支持升降溫可編程控制，能依工藝設置自動生成曲線，且可編輯、修改、存儲。
14、V4真空共晶爐采用全自動閉合式腔體結構，保證長期使用的可靠性，使用過程中上蓋自動關閉時不會造成器件移位，避免器件震動影響焊接質量。單腔室工藝同時滿足加熱和冷卻的要求。
15、V4真空共晶爐，上蓋帶有視窗，可通過顯微鏡觀察器件燒結過程。上蓋自動升降，除手工取放件外，其它操作軟件自動控制完成。
16、V4為石墨鍍碳化硅加熱平臺。
17、V4冷卻方式采用中科同志第五代冷水技術，加熱時水冷不影響熱場的溫度均勻度，冷卻時每個加熱板有六組獨立的水冷裝置，冷卻時溫度均勻度更高。特別適合金錫共晶、銦焊料共晶的高質量封裝焊接。
 
【標配】
1、主機一臺
2、工業(yè)級控制電腦一臺
3、真空燒結爐控制軟件系統(tǒng)一套
4、氮氣氣氛系統(tǒng)、甲酸氣氛系統(tǒng)    
5、MFC質量流量計一臺
6、石墨鍍碳化硅加熱平臺    
 
【選配】
1. 真空泵（機械干泵）
2. 分子泵系統(tǒng)
3.氮氫數(shù)字化混合氣氛系統(tǒng)
4.正壓模塊
5.CCD視覺/顯微鏡
6.氮氫混合氣氣氛

【技術參數(shù)】