2013年電子科技行業前沿創新技術
時間:2020-05-23 09:37 來源:未知 作者:admin
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科技改變人類生活。時間推動歷史的車輪一步步向前行進，科技創新驅使現代生活一點一滴發生著改變。在即將過去的2013年里，電子科技行業給人們帶來了哪些亮眼的創新呢？意念控制正一步步走近現實；納米技術在電子科技行業漸漸展露頭角；新電池技術、無電池技術如科幻般進入人們眼簾；中國一次次展現了科技強國的決心與堅定的腳步。同志科技，作為中國電子專用設備的制造企業，也時刻關注著電子行業的科技創新。
首個半浮柵晶體管問世中國集成電路技術新突破
2013年8月9日出版的最新一期《科學》雜志（Science）刊發了復旦大學微電子學院張衛團隊最新科研論文，該團隊提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成果。
據悉，當代集成電路科技的發展主要是基于摩爾定律，該定律是由英特爾公司創始人之一戈登?摩爾提出的：芯片上的晶體管特征尺寸在不斷地縮小，使得芯片上的晶體管數量每隔18個月便會增加一倍。
目前，集成電路的量產技術已發展到了22納米技術節點，盡管我國在自主知識產權集成電路技術上取得了長足進步，但集成電路的核心技術基本上依然由國外公司擁有。我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管（SFGT）作為一種新型的微電子基礎器件，它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與制造上逐漸獲得更多話語權。
新型晶體管可在三大領域應用 擁有巨大的潛在市場
作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態隨機存儲器。SRAM是一種具有高速靜態存取功能的存儲器，多應用于中央處理器(CPU)內的高速緩存，對處理器性能起到決定性的作用。傳統SRAM需用6個MOSFET晶體管才能構成一個存儲單元，集成度較低，占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個晶體管構成一個存儲單元，存儲速度接近由6個晶體管構成的SRAM存儲單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應用于DRAM領域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存儲器，廣泛應用于計算機內存。其基本單元由1T1C構成，也就是一個晶體管加一個電容的結構。由于其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲信息，無法像MOSFET那樣持續縮小尺寸。業界通常通過挖“深槽”等手段制造特殊結構的電容來縮小其占用的面積，但隨著存儲密度提升，電容加工的技術難度和成本大幅度提高。因此，業界一直在尋找可以用于制造DRAM的無電容器件技術，而半浮柵晶體管（SFGT）構成的DRAM無需電容器便可實現傳統DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快！
在焊接技術上，同志科技生產制造的真空共晶爐，將為晶體管、微電子的焊接提供幫助。同志科技，與中國電子行業共同進步！
首個半浮柵晶體管問世中國集成電路技術新突破
2013年8月9日出版的最新一期《科學》雜志（Science）刊發了復旦大學微電子學院張衛團隊最新科研論文，該團隊提出并實現了一種新型的微電子基礎器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。這是我國科學家在該頂級學術期刊上發表的第一篇微電子器件領域的原創性成果。
據悉，當代集成電路科技的發展主要是基于摩爾定律，該定律是由英特爾公司創始人之一戈登?摩爾提出的：芯片上的晶體管特征尺寸在不斷地縮小，使得芯片上的晶體管數量每隔18個月便會增加一倍。
目前，集成電路的量產技術已發展到了22納米技術節點，盡管我國在自主知識產權集成電路技術上取得了長足進步，但集成電路的核心技術基本上依然由國外公司擁有。我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管（SFGT）作為一種新型的微電子基礎器件，它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與制造上逐漸獲得更多話語權。
新型晶體管可在三大領域應用 擁有巨大的潛在市場
作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態隨機存儲器。SRAM是一種具有高速靜態存取功能的存儲器，多應用于中央處理器(CPU)內的高速緩存，對處理器性能起到決定性的作用。傳統SRAM需用6個MOSFET晶體管才能構成一個存儲單元，集成度較低，占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個晶體管構成一個存儲單元，存儲速度接近由6個晶體管構成的SRAM存儲單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應用于DRAM領域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存儲器，廣泛應用于計算機內存。其基本單元由1T1C構成，也就是一個晶體管加一個電容的結構。由于其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲信息，無法像MOSFET那樣持續縮小尺寸。業界通常通過挖“深槽”等手段制造特殊結構的電容來縮小其占用的面積，但隨著存儲密度提升，電容加工的技術難度和成本大幅度提高。因此，業界一直在尋找可以用于制造DRAM的無電容器件技術，而半浮柵晶體管（SFGT）構成的DRAM無需電容器便可實現傳統DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快！
在焊接技術上，同志科技生產制造的真空共晶爐，將為晶體管、微電子的焊接提供幫助。同志科技，與中國電子行業共同進步！
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本頁關鍵詞：真空共晶爐,貼片機,回流焊
